Zubehör zu Rangierlokomotive, Elektrolokomotive

Halbleiter-Element der Versuchslokomotive mit PETT Ee 3/3 (Ee 933), von ABB Sécheron

Datierung

Versuch 2011–2013

Personen

ABB Asea Brown Boveri AG (1988), Hersteller/in

Beschreibung

Halbleiter-Element aus der Versuchslokomotive Ee 933, Nr. 933 001 (97 85 933 001), der ABB Sècheron. Bau der Lok mit ehemaliger Bezeichnung Ee 3/3, Nr. 16'560, 1962/63. Umbau für Versuchszweck durch ABB Sècheron 2011-2013. Bedeutung: Rangierlok mit erstem leistungselektronischem Transformator der Welt.

Signatur / Beschriftung

Signatur / Beschriftung: Beschriftung: "ABB"

Objekttyp

Objekt (dreidimensional)

Geografie

Herstellungsort: Genève/Genf

Material / Technik

Metall, Kunststoff

Objektmasse

60 x 80 x 25 cm

Inventarnummer

VHS-10801.01

Anschrift

Hochleistungs-Halbleiter-Modul PEBB Dies ist eines von 9 leistungselektronischen PEBB-Modulen, die im PETT (leistungselektronischer Traktionstransformator) eingebaut sind. Jedes Modul ist mit 8 HiPak-IGBT-Modulen bestückt. Die Anwendung von Leistungshalbleitern in einem PETT hat viele Vorteile: Steigerung des Wirkungsgrades, höchste Zuverlässigkeit, geringere Geräuschemissionen und kompakte Abmessungen. Letzteres ermöglicht den Einbau unter dem Wagenboden oder auf dem Zugdach, wodurch mehr Platz für Passagiere zur Verfügung steht und der Energieverbrauch des Zuges sinkt. ABB Sécheron Elektronische Hochleistungs-Halbleiter Unglaublich, aber wahr Leistungshalbleiter sind für das Steuern und Schalten hoher elektrischer Ströme und Spannungen ausgelegt. Sie können Spannung, Strom und Frequenz eines Stromsystems auf ein anderes umformen. 36 HiPak-IGBT-Module (IGBT = insulated gate bipolar transistor) reichen aus, um einer Ge-Güterzuglokomotive 6’000 PS Leistung zu verleihen. Ein daumengrosser IGBT-Chip kann für kurze Zeit die Leistung eines Formel-1-Rennwagens schalten. Die Chip-Oberfläche kann dabei bis 170 °C heiss werden, deutlich heisser als eine Herdplatte. Im Unterschied zu mechanischen Schaltern ist der Halbleiterschalter sehr schnell. Er schaltet bis 10’000-mal pro Sekunde. 10’000’000 – Ein IGBT-Chip schaltet in 10 Millionen Betriebsstunden weniger als einmal falsch. 5’760’000’000’000 – Ein IGBT-Chip schaltet während seiner gesamten Lebensdauer in einer typischen Industrieanwendung etwa 5’760 Milliarden Mal. 230’000’000 – In der Elektrolokomotive Eurosprinter von Siemens (Bild) liefern rund 230 Millionen IGBT-Zellen, verteilt auf 2’304 Chips und eingebaut in 96 HiPak-Module, eine Leistung von 6,4 MW (= 8’700 PS).